recolector de manzanas Presione soltar: Western Digital ha anunciado el lanzamiento de su segunda generación de almacenamiento UFS 3.1 para teléfonos inteligentes 5G. nueva memoria Western Digital iNAND MC EU551 representa el almacenamiento de alto rendimiento que los usuarios necesitan para aprovechar sus teléfonos para aplicaciones en crecimiento, como cámaras y cámaras de alta definición, aplicaciones AV/VR, juegos y video 8K.
Empresa IDC espera que los envíos globales de teléfonos 2021G alcancen una participación del 5% en 40 y crezcan al 69% en 2025. Las nuevas redes ahora permiten la disponibilidad de banda ancha para la transmisión de datos y ofrecen baja latencia para nuevas experiencias de teléfonos 5G. Las soluciones iNAND de Western Digital brindan alta capacidad y alto rendimiento en forma de memoria interna que se necesita para todas las nuevas y excelentes aplicaciones.
"Dependemos de los teléfonos inteligentes literalmente en todos los aspectos de nuestras vidas. Una vez que la red 5G de alta velocidad, las innovaciones en sensores y la inteligencia artificial se unan, la capacidad promedio de memoria del teléfono aumentará; además, será necesario satisfacer la necesidad de un mayor rendimiento para manejar nuevas posibilidades multimedia". dice Huibert Verhoeven, vicepresidente de mercados emergentes, automotrices y móviles de Western Digital, y agrega: "Nuestra nueva solución UFS 3.1 iNAND permitirá a los usuarios lograr aplicaciones ricas en datos y disfrutar de una transmisión más rápida para nuevas formas de jugar, trabajar y aprender".
Memoria móvil iNAND® El MC EU551 es el primer producto construido sobre la nueva plataforma Western Digital UFS 3.1, que se presentó el 26 de mayo en la conferencia. Perspectiva flash. El iNAND MC EU551 permite la aceleración NAND, ofrece un controlador más rápido y una solución de firmware mejorada, y tiene las siguientes mejoras con respecto a la generación anterior, hasta:
- Mejora del 100 % en el rendimiento de lectura aleatoria y hasta un 40 % de mejora en el rendimiento de escritura aleatoria para admitir diversas cargas de trabajo mientras se ejecutan múltiples aplicaciones simultáneamente
- Una mejora del 90% en la escritura secuencial para alcanzar las velocidades de descarga de las redes 5G y Wi-Fi 6. Esto permitirá un mejor rendimiento y experiencia al transmitir archivos como vídeo 8K, así como un rendimiento mejorado para aplicaciones como el modo ráfaga.
- Mejora del 30 % en la lectura secuencial, lo que permite que las aplicaciones se inicien más rápido con tiempos de carga más cortos y tiempos de carga de datos más rápidos.
Este almacenamiento está diseñado para cumplir con los requisitos del estándar JEDEC UFS 3.1 y utiliza la última tecnología Write Booster, que se basa en la séptima generación de SmartSLC.
Occidente digital. Otra tecnología utilizada es Host Performance Booster versión 2.0 en combinación con los últimos avances de este estándar.
Apoyo al ecosistema
La memoria iNAND MC EU551 es la última incorporación a la línea de productos iNAND, en la que confían los principales fabricantes de teléfonos inteligentes de todo el mundo durante más de una década. Como parte de su trabajo en el ecosistema móvil, Western Digital continúa trabajando con los principales diseñadores de sistemas SoC para hacer de UFS 3.1 una solución de referencia para teléfonos inteligentes, ofreciendo a los fabricantes una solución probada previamente.
Disponibilidad
La memoria Western Digital iNAND MC EU551 UFS 3.1 EFD está disponible en una versión de prueba. La producción en serie está prevista para julio de 2021 en capacidades de 128 GB, 256 GB y 512 GB.
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